FIB，聚焦离子束，使用聚焦良好的离子束对样品进行修改并且取得图像。FIB主要是通过SEM、STEM、TEM成像之后，取得非常精确地样品截面或者是执行电路修改。

技术参数
• 电子束系统分辨率:  1.1nm(20kV)/1.5nm(10kV)/2.5nm(1kV)
• 离子束系统分辨率: 5nm(30kV,1pA)
• 电子束加速电压: 0.1-30 kV
• 离子束加速电压: 0.5-30 kV
• 电子束流: 4pA-100nA
• 离子束流: 1pA-50nA